2N6491G

Symbol Micros: T2N6491 ONS

Gehäuse: TO220

Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB

Parameter

Verlustleistung:	75W
Grenzfrequenz:	5MHz
Stromverstärkungsfaktor:	130
Hersteller:	ONSEMI
Gehäuse:	TO220
Max. Kollektor-Strom [A]:	15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N6491G Gehäuse: TO220

Externes Lager:

350 stk.

Anzahl Stück	300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,3912

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N6491G Gehäuse: TO220

Externes Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5878

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2025-05-31

Anzahl Stück: 150

Verlustleistung:	75W
Grenzfrequenz:	5MHz
Stromverstärkungsfaktor:	130
Hersteller:	ONSEMI
Gehäuse:	TO220
Max. Kollektor-Strom [A]:	15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP
Transistorsysteme [J/N]:	N/A