2N6491G

Symbol Micros: T2N6491 ONS
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Gehäuse: TO220
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Transistor: PNP; bipolar; 80V; 15A; 75W; TO220AB
Parameter
Verlustleistung: 75W
Grenzfrequenz: 5MHz
Stromverstärkungsfaktor: 130
Hersteller: ONSEMI
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N6491G Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
350 stk.
Anzahl Stück 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3899
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N6491G Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,5858
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Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2025-05-31
Anzahl Stück: 150
Verlustleistung: 75W
Grenzfrequenz: 5MHz
Stromverstärkungsfaktor: 130
Hersteller: ONSEMI
Gehäuse: TO220
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 80V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP
Transistorsysteme [J/N]: N/A

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