2N6491

Symbol Micros: T2N6491 SPT

Gehäuse: TO220

Transistor PNP; Bipolar; 90V; 75W; 80V; 15A; 5MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor PNP; Bipolar; 90V; 75W; 80V; 15A; 5MHz; -65°C ~ 150°C;

Parameter

Verlustleistung:	75W
Grenzfrequenz:	5MHz
Stromverstärkungsfaktor:	150
Hersteller:	SPTECH
Gehäuse:	TO220
Max. Kollektor-Strom [A]:	15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V

Verlustleistung:	75W
Grenzfrequenz:	5MHz
Stromverstärkungsfaktor:	150
Hersteller:	SPTECH
Gehäuse:	TO220
Max. Kollektor-Strom [A]:	15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	80V
Betriebstemperatur (Bereich):	-65°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP