2N7000 FAIRCHILD
Symbol Micros:
T2N7000
Gehäuse: TO92
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000BU (bulk)
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 9Ohm |
| Max. Drainstrom: | 200mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 400mW |
| Gehäuse: | TO92 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: 2N7000BU RoHS
Gehäuse: TO92bul
Auf Lager:
700 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2502 | 0,1323 | 0,1026 | 0,0947 | 0,0907 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 9Ohm |
| Max. Drainstrom: | 200mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 400mW |
| Gehäuse: | TO92 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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