2N7000 FAIRCHILD
Symbol Micros:
T2N7000
Gehäuse: TO92
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000BU (bulk)
Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 9Ohm |
Max. Drainstrom: | 200mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 400mW |
Gehäuse: | TO92 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: 2N7000BU RoHS
Gehäuse: TO92bul
Auf Lager:
700 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2502 | 0,1323 | 0,1026 | 0,0947 | 0,0907 |
Widerstand im offenen Kanal: | 9Ohm |
Max. Drainstrom: | 200mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 400mW |
Gehäuse: | TO92 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole