2N7000 CJ
Symbol Micros:
T2N7000 CJ
Gehäuse: TO92
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000-DIO;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 9Ohm |
| Max. Drainstrom: | 200mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 400mW |
| Gehäuse: | TO92 |
| Hersteller: | CJ |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 9Ohm |
| Max. Drainstrom: | 200mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 400mW |
| Gehäuse: | TO92 |
| Hersteller: | CJ |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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