2N7000 DIOTEC

Symbol Micros: T2N7000 DIOTEC
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000-DIO;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: TO92
Hersteller: DIOTEC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: DIOTEC Hersteller-Teilenummer: 2N7000 RoHS Gehäuse: TO92ammoformed Datenblatt
Auf Lager:
7400 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 4000+
Nettopreis (EUR) 0,1808 0,0722 0,0420 0,0348 0,0329
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Standard-Verpackung:
4000
Widerstand im offenen Kanal: 9Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: TO92
Hersteller: DIOTEC
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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