2N7000 DIOTEC
Symbol Micros:
T2N7000 DIOTEC
Gehäuse: TO92
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000-DIO;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 9Ohm |
Max. Drainstrom: | 200mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 400mW |
Gehäuse: | TO92 |
Hersteller: | DIOTEC |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
Hersteller: DIOTEC
Hersteller-Teilenummer: 2N7000 RoHS
Gehäuse: TO92ammoformed
Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 4000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1647 | 0,0657 | 0,0382 | 0,0318 | 0,0300 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: 2N7000
Gehäuse: TO92
Externes Lager:
10270 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1017 |
Widerstand im offenen Kanal: | 9Ohm |
Max. Drainstrom: | 200mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 400mW |
Gehäuse: | TO92 |
Hersteller: | DIOTEC |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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