2N7000 DIOTEC

Name: T2N7000 DIOTEC T2N7000 DIOTEC
Brand: ON-Semicoductor
SKU: T2N7000DIOTEC
Price: 0.0664 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: T2N7000 DIOTEC

Gehäuse: TO92

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000-DIO;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	9Ohm
Max. Drainstrom:	200mA
Maximaler Leistungsverlust:	400mW
Gehäuse:	TO92
Hersteller:	DIOTEC
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V

Hersteller: DIOTEC Hersteller-Teilenummer: 2N7000 RoHS Gehäuse: TO92ammoformed Datenblatt

Auf Lager:

6200 stk.

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	4000+
Nettopreis (EUR)	0,1763	0,0704	0,0409	0,0339	0,0320

Hersteller: DIOTEC Hersteller-Teilenummer: 2N7000 Gehäuse: TO92

Externes Lager:

4000 stk.

Anzahl Stück	4000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0320

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7000 Gehäuse: TO92

Externes Lager:

85370 stk.

Anzahl Stück	10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0664

Widerstand im offenen Kanal:	9Ohm
Max. Drainstrom:	200mA
Maximaler Leistungsverlust:	400mW
Gehäuse:	TO92
Hersteller:	DIOTEC
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT