2N7000 DIOTEC
Symbol Micros:
T2N7000 DIOTEC
Gehäuse: TO92
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 2N7000-DIO
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 9Ohm |
| Max. Drainstrom: | 200mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 400mW |
| Gehäuse: | TO92 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
Hersteller: DIOTEC
Hersteller-Teilenummer: 2N7000 RoHS
Gehäuse: TO92ammoformed
Auf Lager:
900 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 4000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1697 | 0,0678 | 0,0393 | 0,0327 | 0,0309 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 9Ohm |
| Max. Drainstrom: | 200mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 400mW |
| Gehäuse: | TO92 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Montage: | THT |
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