2N7000 TO92(ammo formed PIN) LGE

Symbol Micros: T2N7000 f
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92ammoformed
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 5,3 Ohm; 200mA; 400 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7000-LGE; (ONS: 2N7000TA; 2N7000-D26Z; 2N7000-D74Z; 2N7000-D75Z);
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 5,3Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: TO92ammoformed
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: 2N7000 RoHS Gehäuse: TO92bul  
Auf Lager:
6040 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1436 0,0574 0,0333 0,0278 0,0261
Standard-Verpackung:
1000/10000
Widerstand im offenen Kanal: 5,3Ohm
Max. Drainstrom: 200mA
Maximaler Leistungsverlust: 400mW
Gehäuse: TO92ammoformed
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT