2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE
Symbol Micros:
T2N7000 f
Gehäuse: TO92ammoformed
N-MOSFET 190mA 60V 250mW
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 5,3Ohm |
Max. Drainstrom: | 200mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 400mW |
Gehäuse: | TO92ammoformed |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: LGE
Hersteller-Teilenummer: 2N7000 RoHS
Gehäuse: TO92bul
Auf Lager:
6670 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 5000+ |
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Nettopreis (EUR) | 0,1517 | 0,0608 | 0,0353 | 0,0295 | 0,0276 |
Widerstand im offenen Kanal: | 5,3Ohm |
Max. Drainstrom: | 200mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 400mW |
Gehäuse: | TO92ammoformed |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
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