2N7002
Symbol Micros:
T2N7002 c
Gehäuse: SOT23
N-Channel (mit ESD) MOSFET 0,43 A 60 V 4000 m?
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 300mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 830mW |
| Gehäuse: | SOT-23 |
| Hersteller: | MIC |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
Hersteller: MIC
Hersteller-Teilenummer: 2N7002 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
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| Anzahl Stück | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ | 15000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0523 | 0,0195 | 0,0105 | 0,0078 | 0,0072 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 300mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 830mW |
| Gehäuse: | SOT-23 |
| Hersteller: | MIC |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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