K2N7002-7-F KUU

Symbol Micros: T2N7002 KUU
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Gehäuse: SOT23
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N-MOSFET Transistor; 60V; 60V; 20V; 3Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7002; K2N7002T-7-F;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3mOhm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: KUU
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: kuu semiconductor Hersteller-Teilenummer: K2N7002-7-F RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
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300 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 600+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1104 0,0507 0,0276 0,0202 0,0184
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Standard-Verpackung:
600
Widerstand im offenen Kanal: 3mOhm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: KUU
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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