2N7002 LGE

Symbol Micros: T2N7002 LGE
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 7,5 Ohm; 115mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; 2N7002-LGE
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,5Ohm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: 2N7002 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2880 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0780 0,0302 0,0147 0,0117 0,0112
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 7,5Ohm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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