2N7002 LGE

Name: T2N7002 LGE T2N7002 LGE
Brand: LGE
SKU: T2N7002LGE
Price: 0.0108 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: T2N7002 LGE

Gehäuse: SOT23

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 7,5 Ohm; 115mA; 225 mW; -55 °C ~ 150 °C; 2N7002-LGE

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	7,5Ohm
Max. Drainstrom:	115mA
Maximaler Leistungsverlust:	225mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	LGE
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: 2N7002 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

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2880 stk.

Anzahl Stück	10+	50+	400+	3000+	12000+
Nettopreis (EUR)	0,0758	0,0293	0,0142	0,0113	0,0108

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Geplantes Datum:
2025-04-20

Anzahl Stück: 3000

Widerstand im offenen Kanal:	7,5Ohm
Max. Drainstrom:	115mA
Maximaler Leistungsverlust:	225mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	LGE
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD