2N7002 LGE

Symbol Micros: T2N7002 LGE
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,5Ohm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: 2N7002 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3500 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0909 0,0358 0,0209 0,0153 0,0140
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 7,5Ohm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 225mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: LGE
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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