2N7002-T1-E3 VISHAY

Symbol Micros: T2N7002 VIS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 40V; 13,5 Ohm; 115mA; 200 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002-T1-GE3;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13,5Ohm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: 2N7002-T1-E3 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2222 0,1055 0,0594 0,0451 0,0404
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 13,5Ohm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 200mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 40V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD