2N7002 SOT23  YANGJIE

Symbol Micros: T2N7002 YY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 340mA; 350mW; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 340mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: YY Hersteller-Teilenummer: 2N7002-F2-0000HF RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
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Nettopreis (EUR) 0,0611 0,0229 0,0122 0,0091 0,0084
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Geplantes Datum:
2024-10-10
Anzahl Stück: 9000
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 340mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD