2N7002BK

Symbol Micros: T2N7002bk

Gehäuse: SOT23

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 350mA; 440 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002BK,215; 2N7002BK.215;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2Ohm
Max. Drainstrom:	350mA
Maximaler Leistungsverlust:	440mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: 2N7002BK,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

5500 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1658	0,0787	0,0443	0,0337	0,0302

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002BK,215 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

285000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0302

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002BK,215 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

204000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0302

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002BK,215 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

184000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0302

Widerstand im offenen Kanal:	2Ohm
Max. Drainstrom:	350mA
Maximaler Leistungsverlust:	440mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD