2N7002BK

Symbol Micros: T2N7002bk
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 350mA; 440 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002BK,215; 2N7002BK.215;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 350mA
Maximaler Leistungsverlust: 440mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: 2N7002BK,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
5500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1658 0,0787 0,0443 0,0337 0,0302
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002BK,215 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
285000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0302
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002BK,215 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
204000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0302
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002BK,215 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
184000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0302
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 350mA
Maximaler Leistungsverlust: 440mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD