2N7002BK

Symbol Micros: T2N7002bk
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.350A

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 350mA
Maximaler Leistungsverlust: 440mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: 2N7002BK,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
5500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1620 0,0769 0,0433 0,0330 0,0295
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 350mA
Maximaler Leistungsverlust: 440mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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