2N7002BKS,115
Symbol Micros:
T2N7002bks
Gehäuse: SOT363
2xN-MOSFET 60V 0.3A 2N7002BKS,115
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 300mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 340mW |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 300mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 340mW |
| Gehäuse: | SOT363 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Montage: | SMD |
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