2N7002BKS,115
Symbol Micros:
T2N7002bks
Gehäuse: SOT363
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 300mA; 340 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002BKS,115;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
Max. Drainstrom: | 300mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 340mW |
Gehäuse: | SOT363 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
Hersteller: NXP
Hersteller-Teilenummer: 2N7002BKS,115 RoHS
Gehäuse: SOT363 t/r
Datenblatt
Auf Lager:
1720 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2465 | 0,1244 | 0,0754 | 0,0598 | 0,0546 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: 2N7002BKS,115
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
24000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0546 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: 2N7002BKS,115
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
18000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0546 |
Hersteller: Nexperia
Hersteller-Teilenummer: 2N7002BKS,115
Gehäuse: SOT363
Externes Lager:
51000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0546 |
Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
Max. Drainstrom: | 300mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 340mW |
Gehäuse: | SOT363 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | 2xN-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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