2N7002BKS,115

Symbol Micros: T2N7002bks
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT363
2xN-Channel MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 300mA; 340 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002BKS,115;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 340mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: 2N7002BKS,115 RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
Auf Lager:
1720 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2465 0,1244 0,0754 0,0598 0,0546
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002BKS,115 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
24000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0546
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002BKS,115 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
18000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0546
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002BKS,115 Gehäuse: SOT363  
Externes Lager:
51000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0546
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 340mW
Gehäuse: SOT363
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: 2xN-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD