2N7002BKW,115
Symbol Micros:
T2N7002bkw
Gehäuse: SOT323
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 330mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002BKW,115; 2N7002BKW.115; 2N7002BKW;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
Max. Drainstrom: | 310mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 330mW |
Gehäuse: | SOT323 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
Max. Drainstrom: | 310mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 330mW |
Gehäuse: | SOT323 |
Hersteller: | NXP |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
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