2N7002BKW,115

Symbol Micros: T2N7002bkw

Gehäuse: SOT323

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 330 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002BKW,115; 2N7002BKW.115; 2N7002BKW;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	2Ohm
Max. Drainstrom:	310mA
Maximaler Leistungsverlust:	330mW
Gehäuse:	SOT323
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: 2N7002BKW,115 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt

Auf Lager:

1690 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2343	0,1113	0,0627	0,0476	0,0426

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002BKW,115 Gehäuse: SOT323

Externes Lager:

27000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0426

Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002BKW,115 Gehäuse: SOT323

Externes Lager:

6000 stk.

Anzahl Stück	6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0426

Widerstand im offenen Kanal:	2Ohm
Max. Drainstrom:	310mA
Maximaler Leistungsverlust:	330mW
Gehäuse:	SOT323
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD