2N7002BKW,115

Symbol Micros: T2N7002bkw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 330mW; -55°C ~ 150°C; Replacement: 2N7002BKW,115; 2N7002BKW.115; 2N7002BKW;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 310mA
Maximaler Leistungsverlust: 330mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: 2N7002BKW,115 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
1690 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2289 0,1087 0,0613 0,0465 0,0416
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 310mA
Maximaler Leistungsverlust: 330mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole