2N7002CK,215
Symbol Micros:
T2N7002ck
Gehäuse: SOT23-3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4,4 Ohm; 300mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,4Ohm |
| Max. Drainstrom: | 300mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,4Ohm |
| Max. Drainstrom: | 300mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
| Gehäuse: | SOT23-3 |
| Hersteller: | NXP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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