2N7002CK,215

Symbol Micros: T2N7002ck

Gehäuse: SOT23-3

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4,4 Ohm; 300mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4,4Ohm
Max. Drainstrom:	300mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: 2N7002CK RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt

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Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2504	0,1331	0,1032	0,0952	0,0913

Widerstand im offenen Kanal:	4,4Ohm
Max. Drainstrom:	300mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	NXP
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD