2N7002CK,215

Symbol Micros: T2N7002ck
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
N-MOSFET 60V 300mA 350mW

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,4Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: 2N7002CK RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2144 0,1185 0,0788 0,0657 0,0613
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 4,4Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD