2N7002-G Microchip Technology

Symbol Micros: T2N7002g

Gehäuse: SOT23-3

N-MOSFET 60V 115mA 360mW 7.5mΩ

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	7,5Ohm
Max. Drainstrom:	500mA
Maximaler Leistungsverlust:	360mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	MICROCHIP
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V

Widerstand im offenen Kanal:	7,5Ohm
Max. Drainstrom:	500mA
Maximaler Leistungsverlust:	360mW
Gehäuse:	SOT23-3
Hersteller:	MICROCHIP
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Msx. Drain-Gate Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Montage:	SMD