2N7002K SOT23 MDD

Symbol Micros: T2N7002k MDD

Gehäuse: SOT23

Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; ESD 2kV; 300mA; 300mW; -50°C~150°C;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	3Ohm
Max. Drainstrom:	300mA
Maximaler Leistungsverlust:	300mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	MDD
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	MOSFET

Hersteller: MDD(Microdiode Electronics) Hersteller-Teilenummer: 2N7002K RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

200 stk.

Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,0908	0,0357	0,0209	0,0153	0,0140

Hersteller: MDD(Microdiode Electronics) Hersteller-Teilenummer: 2N7002K RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

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0 stk.

Anzahl Stück	10+	50+	200+	1000+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,0908	0,0357	0,0209	0,0153	0,0140

Widerstand im offenen Kanal:	3Ohm
Max. Drainstrom:	300mA
Maximaler Leistungsverlust:	300mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	MDD
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-50°C ~ 150°C
Montage:	SMD