2N7002K VISHAY

Symbol Micros: T2N7002kt1ge3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002KT1G; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7002KT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
980 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2243 0,1066 0,0600 0,0455 0,0408
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7002KT1G RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r  
Auf Lager:
400 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2243 0,1066 0,0600 0,0455 0,0408
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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