2N7002K VISHAY

Symbol Micros: T2N7002kt1ge3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002KT1G; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7002KT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
980 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1448 0,0687 0,0388 0,0294 0,0263
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7002KT1G Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
213000 stk.
Anzahl Stück 9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0263
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: 2N7002K-T1-GE3 Gehäuse: SOT23  
Externes Lager:
147000 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0263
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4Ohm
Max. Drainstrom: 300mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD