2N7002K VISHAY

Name: T2N7002kt1ge3 T2N7002kt1ge3
Brand: ON-Semicoductor
SKU: T2N7002kt1ge3
Price: 0.0263 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: T2N7002kt1ge3

Gehäuse: SOT23

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4Ohm; 300mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002KT1G; 2N7002K-T1-E3; 2N7002K-T1-GE3;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4Ohm
Max. Drainstrom:	300mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7002KT1G RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

980 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,1448	0,0687	0,0388	0,0294	0,0263

Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7002KT1G Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

213000 stk.

Anzahl Stück	9000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0263

Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: 2N7002K-T1-GE3 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

147000 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0263

Widerstand im offenen Kanal:	4Ohm
Max. Drainstrom:	300mA
Maximaler Leistungsverlust:	350mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD