2N7002KW

Symbol Micros: T2N7002kw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3Ohm; 310mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002KW-FAI; 2N7002KW-YAN; 2N7002KW-TP;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 310mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7002KW RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
6000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,2513 0,1390 0,0924 0,0771 0,0718
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Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N7002KW Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
159000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0718
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3Ohm
Max. Drainstrom: 310mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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