2N7002KW-Q  Yangzhou Yangjie Elec.

Symbol Micros: T2N7002KW-Q YY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
N-Channel MOSFET; 60V; 340mA; 350mW; 3 Ohm; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Max. Drainstrom: 340mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: YY Hersteller-Teilenummer: 2N7002KWQ RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
1240 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1109 0,0508 0,0278 0,0207 0,0185
Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 2,5Ohm
Max. Drainstrom: 340mA
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd.
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD