2N7002P,215

Symbol Micros: T2N7002p
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-3
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 360mA; 420 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002P,215; 2N7002P,235; 2N7002P.215; 2N7002P;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 360mA
Maximaler Leistungsverlust: 420mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: 2N7002P,215 RoHS Gehäuse: SOT23-3 t/r Datenblatt
Auf Lager:
2945 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1393 0,0639 0,0347 0,0261 0,0232
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002P,215 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
42000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0232
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002P,235 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
30000 stk.
Anzahl Stück 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0232
Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002P,235 Gehäuse: SOT23-3  
Externes Lager:
20000 stk.
Anzahl Stück 10000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0232
Standard-Verpackung:
10000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 360mA
Maximaler Leistungsverlust: 420mW
Gehäuse: SOT23-3
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD