2N7002PW NXP

Symbol Micros: T2N7002pw
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT323
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 2Ohm; 310mA; 310 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2N7002PW,115; 2N7002PW.115;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 310mA
Maximaler Leistungsverlust: 310mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: 2N7002PW,115 RoHS Gehäuse: SOT323 t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1761 0,0836 0,0469 0,0357 0,0320
Standard-Verpackung:
3000
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002PW,115 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
9000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0320
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002PW,115 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
708000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0320
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Nexperia Hersteller-Teilenummer: 2N7002PW,115 Gehäuse: SOT323  
Externes Lager:
84000 stk.
Anzahl Stück 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,0320
Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2Ohm
Max. Drainstrom: 310mA
Maximaler Leistungsverlust: 310mW
Gehäuse: SOT323
Hersteller: NXP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD