2N7008-G Microchip
Symbol Micros:
T2N7008g
Gehäuse: TO92
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 30V; 7,5 Ohm; 230mA; 1W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 7,5Ohm |
Max. Drainstrom: | 230mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 1W |
Gehäuse: | TO92 |
Hersteller: | MICROCHIP |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
Widerstand im offenen Kanal: | 7,5Ohm |
Max. Drainstrom: | 230mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 1W |
Gehäuse: | TO92 |
Hersteller: | MICROCHIP |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | THT |
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