2N7008-G Microchip

Symbol Micros: T2N7008g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 30V; 7,5 Ohm; 230mA; 1W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,5Ohm
Max. Drainstrom: 230mA
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: TO92
Hersteller: MICROCHIP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: Microchip Hersteller-Teilenummer: 2N7008-G RoHS Gehäuse: TO92bul Datenblatt
Auf Lager:
25 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 25+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8926 0,5599 0,4762 0,4140 0,3877
Standard-Verpackung:
25
Widerstand im offenen Kanal: 7,5Ohm
Max. Drainstrom: 230mA
Maximaler Leistungsverlust: 1W
Gehäuse: TO92
Hersteller: MICROCHIP
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT