2N7008-G Microchip
Symbol Micros:
T2N7008g
Gehäuse: TO92
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 30V; 7,5 Ohm; 230mA; 1W; -55 °C ~ 150 °C;
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 230mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1W |
| Gehäuse: | TO92 |
| Hersteller: | MICROCHIP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 230mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1W |
| Gehäuse: | TO92 |
| Hersteller: | MICROCHIP |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Montage: | THT |
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