2SA1020

Symbol Micros: T2SA1020 LGE
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
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Transistor PNP; Bipolar; Darlington; 240; -50V; -5V; 100MHz; -2A; 900mW; -55°C~150°C; 2SA1020-LGE; CJ 2SA1020(RANGE:120-240); UTC 2SA1020L-Y-T9N-B;
Parameter
Verlustleistung: 900mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 240
Hersteller: LGE
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: -2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: -50V
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: 2SA1020 RoHS Gehäuse: TO92L (TO-226) Long Body 8mm Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,1182 0,0540 0,0292 0,0218 0,0197
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Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 900mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 240
Hersteller: LGE
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: -2A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: -50V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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