2SA1186 TO-3P

Symbol Micros: T2SA1186
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
PNP 150V 10A 100W 60MHz PNP 150V 10A 100W 60MHz
Parameter
Verlustleistung: 100W
Grenzfrequenz: 60MHz
Stromverstärkungsfaktor: 180
Hersteller: Inchange Semiconductors
Gehäuse: TO 3P
Max. Kollektor-Strom [A]: 10A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 150V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 100W
Grenzfrequenz: 60MHz
Stromverstärkungsfaktor: 180
Hersteller: Inchange Semiconductors
Gehäuse: TO 3P
Max. Kollektor-Strom [A]: 10A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 150V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP