2SA1386

Symbol Micros: T2SA1386
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
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Transistor GP BJT PNP 160V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Transistor GP BJT PNP 160V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Parameter
Verlustleistung: 130W
Stromverstärkungsfaktor: 180
Grenzfrequenz: 40MHz
Hersteller: Sanken
Gehäuse: TO 3P
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Hersteller: PMC-Sierra Hersteller-Teilenummer: 2SA1386 RoHS Gehäuse: TO 3P  
Auf Lager:
2 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,4125 0,9859 0,8134 0,7645 0,7435
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Standard-Verpackung:
94
Hersteller: Sanken Hersteller-Teilenummer: 2SA1386 RoHS Gehäuse: TO 3P Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 30+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,4125 0,9859 0,8134 0,7645 0,7435
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Standard-Verpackung:
30/100
Verlustleistung: 130W
Stromverstärkungsfaktor: 180
Grenzfrequenz: 40MHz
Hersteller: Sanken
Gehäuse: TO 3P
Max. Kollektor-Strom [A]: 15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

Symbol Micros

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