2SA1943-O

Symbol Micros: T2SA1943o

Gehäuse: 2-21F1A

Transistor PNP; 160; 150W; 230V; 15A; 30MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 160; 150W; 230V; 15A; 30MHz; -55°C ~ 150°C;

Parameter

Verlustleistung:	150W
Stromverstärkungsfaktor:	160
Grenzfrequenz:	30MHz
Hersteller:	TOSHIBA
Gehäuse:	2-21F1A
Max. Kollektor-Strom [A]:	15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	230V

Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: 2SA1943-O(Q) RoHS Gehäuse: 2-21F1A Datenblatt

Auf Lager:

0 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	200+
Nettopreis (EUR)	3,2048	2,5033	2,2376	2,0977	2,0674

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Standard-Verpackung:
100/500 Menge (Vielfache: 1)

Verlustleistung:	150W
Stromverstärkungsfaktor:	160
Grenzfrequenz:	30MHz
Hersteller:	TOSHIBA
Gehäuse:	2-21F1A
Max. Kollektor-Strom [A]:	15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	230V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	PNP

Anzahl Stück	1+	5+	25+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,6339	1,1374	0,9463	0,9043	0,8601

Anzahl Stück	1+	5+	30+	150+	300+
Nettopreis (EUR)	1,6455	1,2190	1,0395	0,9813	0,9673

Anzahl Stück	1+	5+	30+	150+	300+
Nettopreis (EUR)	1,6455	1,2190	1,0395	0,9813	0,9673