2SB772P

Symbol Micros: T2SB772
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
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PNP 3A 30V 10W 80MHz 160 < beta < 320 PNP 3A 30V 10W 80MHz 160 < beta < 320
Parameter
Verlustleistung: 10W
Stromverstärkungsfaktor: 320
Grenzfrequenz: 80MHz
Hersteller: UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: LGE Hersteller-Teilenummer: 2SB772 RoHS Gehäuse: TO126  
Auf Lager:
11755 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2541 0,1394 0,0914 0,0825 0,0727
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Standard-Verpackung:
200
Verlustleistung: 10W
Stromverstärkungsfaktor: 320
Grenzfrequenz: 80MHz
Hersteller: UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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