2SC3356-T1B-A Renesas
Symbol Micros:
T2SC3356
Gehäuse: SOT23
NPN Transistor; 160; 200mW; 12V; 100mA; 7GHz; -65°C ~ 150°C; NPN Transistor; 160; 200mW; 12V; 100mA; 7GHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
| Verlustleistung: | 200mW |
| Grenzfrequenz: | 7GHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 160 |
| Hersteller: | HOTTECH |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 12V |
Hersteller: HOTTECH
Hersteller-Teilenummer: 2SC3356R RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
400 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 30+ | 200+ | 1000+ | 5000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1441 | 0,0575 | 0,0335 | 0,0278 | 0,0262 |
Hersteller: YFW
Hersteller-Teilenummer: 2SC3356-S RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
2000 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,1441 | 0,0674 | 0,0373 | 0,0297 | 0,0262 |
| Verlustleistung: | 200mW |
| Grenzfrequenz: | 7GHz |
| Stromverstärkungsfaktor: | 160 |
| Hersteller: | HOTTECH |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
| Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 12V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
| Transistor-Typ: | NPN |
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