2SC3356-T1B-A Renesas

Symbol Micros: T2SC3356
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
NPN Transistor; 160; 200mW; 12V; 100mA; 7GHz; -65°C ~ 150°C; NPN Transistor; 160; 200mW; 12V; 100mA; 7GHz; -65°C ~ 150°C;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Verlustleistung: 200mW
Stromverstärkungsfaktor: 160
Grenzfrequenz: 7GHz
Hersteller: HOTTECH
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 12V
Hersteller: HOTTECH Hersteller-Teilenummer: 2SC3356R RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
400 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1428 0,0678 0,0381 0,0290 0,0260
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2024-08-02
Anzahl Stück: 1000
Verlustleistung: 200mW
Stromverstärkungsfaktor: 160
Grenzfrequenz: 7GHz
Hersteller: HOTTECH
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 12V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole