2SC6011A

Symbol Micros: T2SC6011a

Gehäuse: TO 3P

Transistor GP BJT NPN 230V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Bulk Transistor GP BJT NPN 230V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Bulk

Parameter

Verlustleistung:	160W
Grenzfrequenz:	20MHz
Stromverstärkungsfaktor:	180
Hersteller:	Inchange Semiconductors
Gehäuse:	TO 3P
Max. Kollektor-Strom [A]:	15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	230V

Verlustleistung:	160W
Grenzfrequenz:	20MHz
Stromverstärkungsfaktor:	180
Hersteller:	Inchange Semiconductors
Gehäuse:	TO 3P
Max. Kollektor-Strom [A]:	15A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	230V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	NPN