2SD2390 TO3P

Symbol Micros: T2SD2390
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
2SD2390 Transistor NPN Bipolar Darlington 150V 55MHz 100W 10A TO3P 2SD2390 Transistor NPN Bipolar Darlington 150V 55MHz 100W 10A TO3P

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Parameter
Verlustleistung: 100W
Stromverstärkungsfaktor: 20000
Hersteller: Sanken
Grenzfrequenz: 55MHz
Gehäuse: TO-3P
Max. Kollektor-Strom [A]: 10A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 150V
Hersteller: Sanken Hersteller-Teilenummer: 2SD2390-Y RoHS Gehäuse: TO 3P  
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7 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,8007 1,5107 1,3423 1,2371 1,1997
Standard-Verpackung:
200
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2024-10-30
Anzahl Stück: 120
Verlustleistung: 100W
Stromverstärkungsfaktor: 20000
Hersteller: Sanken
Grenzfrequenz: 55MHz
Gehäuse: TO-3P
Max. Kollektor-Strom [A]: 10A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 150V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN