2SD2390 TO3P

Symbol Micros: T2SD2390
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
2SD2390 Transistor NPN Bipolar Darlington 150V 55MHz 100W 10A TO3P 2SD2390 Transistor NPN Bipolar Darlington 150V 55MHz 100W 10A TO3P
Parameter
Verlustleistung: 100W
Grenzfrequenz: 55MHz
Stromverstärkungsfaktor: 20000
Hersteller: Sanken
Gehäuse: TO-3P
Max. Kollektor-Strom [A]: 10A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 150V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 100W
Grenzfrequenz: 55MHz
Stromverstärkungsfaktor: 20000
Hersteller: Sanken
Gehäuse: TO-3P
Max. Kollektor-Strom [A]: 10A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 150V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole