2SD882SQ-P SOT89 PJ

Symbol Micros: T2SD882 sot89 PJ
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
30V 3A NPN SOT-89 Bipolar Transistors - BJT ROHS 30V 3A NPN SOT-89 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Parameter
Verlustleistung: 1W
Grenzfrequenz: 90MHz
Stromverstärkungsfaktor: 320
Hersteller: PJSEMI
Gehäuse: SOT89
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Hersteller: PJSEMI Hersteller-Teilenummer: 2SD882SQ-P RoHS Gehäuse: SOT89 t/r  
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2736 0,1490 0,0976 0,0844 0,0778
Standard-Verpackung:
300
Verlustleistung: 1W
Grenzfrequenz: 90MHz
Stromverstärkungsfaktor: 320
Hersteller: PJSEMI
Gehäuse: SOT89
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN