2SD965 China
Symbol Micros:
T2SD965 c
Gehäuse: SOT89
Transistor NPN; Bipolar; 1000; 20V; 7V; 150MHz; 5A; 500mW; -55°C~150°C; Transistor NPN; Bipolar; 1000; 20V; 7V; 150MHz; 5A; 500mW; -55°C~150°C;
Parameter
Verlustleistung: | 500mW |
Grenzfrequenz: | 150MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 1000 |
Hersteller: | FOSHAN |
Gehäuse: | SOT89 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 5A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 20V |
Verlustleistung: | 500mW |
Grenzfrequenz: | 150MHz |
Stromverstärkungsfaktor: | 1000 |
Hersteller: | FOSHAN |
Gehäuse: | SOT89 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 5A |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | NPN |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole