2SJ162

Symbol Micros: T2SJ162
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 160V; 15V; 7A; 100 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 100W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Renesas
Max. Drain-Source Spannung: 160V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 15V
Hersteller: RENESAS Hersteller-Teilenummer: 2SJ162 RoHS Gehäuse: TO 3P Datenblatt
Auf Lager:
2 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 6,0055 5,3869 5,2425 5,0933 5,0042
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Standard-Verpackung:
5
Max. Drainstrom: 7A
Maximaler Leistungsverlust: 100W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Renesas
Max. Drain-Source Spannung: 160V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 15V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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