2SK1118

Symbol Micros: T2SK1118
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 600V; 30V; 1,25 Ohm; 6A; 45W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,25Ohm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220iso
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: PMC-Sierra Hersteller-Teilenummer: 2SK1118 RoHS Gehäuse: TO220iso  
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24 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 24+ 96+ 288+
Nettopreis (EUR) 2,0462 1,6243 1,4555 1,3899 1,3641
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Standard-Verpackung:
24
Widerstand im offenen Kanal: 1,25Ohm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220iso
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 600V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT

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