2SK1118

Symbol Micros: T2SK1118

Gehäuse: TO220iso

N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 600V; 30V; 1,25 Ohm; 6A; 45W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1,25Ohm
Max. Drainstrom:	6A
Maximaler Leistungsverlust:	45W
Gehäuse:	TO220iso
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Msx. Drain-Gate Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: PMC-Sierra Hersteller-Teilenummer: 2SK1118 RoHS Gehäuse: TO220iso

Auf Lager:

18 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	24+	96+	288+
Nettopreis (EUR)	2,0506	1,6278	1,4587	1,3929	1,3671

Widerstand im offenen Kanal:	1,25Ohm
Max. Drainstrom:	6A
Maximaler Leistungsverlust:	45W
Gehäuse:	TO220iso
Max. Drain-Source Spannung:	600V
Msx. Drain-Gate Spannung:	600V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT