2SK117
Symbol Micros:
T2SK117
Gehäuse: TO92
N-Channel-JFET-Transistor; 50V; 14mA; 300 mW; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: 2SK117-GR(F);
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Parameter
| Max. Drainstrom: | 14mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
| Gehäuse: | TO92 |
| Hersteller: | TOSHIBA |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 50V |
| Transistor-Typ: | N-JFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 125°C |
| Max. Drainstrom: | 14mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
| Gehäuse: | TO92 |
| Hersteller: | TOSHIBA |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 50V |
| Transistor-Typ: | N-JFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 125°C |
| Montage: | THT |
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