2SK170-BL(F)
Symbol Micros:
T2SK170
Gehäuse: TO92
N-Channel-JFET-Transistor; 40V; 20mA; 400 mW; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: 2SK170-BL; 2SK170BL(TPE2,F); 2SK170-BL(F); 2SK170;
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Parameter
| Max. Drainstrom: | 20mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 400mW |
| Gehäuse: | TO92 |
| Hersteller: | TOSHIBA |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-JFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 125°C |
| Max. Drainstrom: | 20mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 400mW |
| Gehäuse: | TO92 |
| Hersteller: | TOSHIBA |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-JFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 125°C |
| Montage: | THT |
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