2SK2542

Symbol Micros: T2SK2542
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 500V; 500V; 30V; 850 mOhm; 8A; 80W; -55 °C ~ 150 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 850mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 80W
Gehäuse: TO220
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Msx. Drain-Gate Spannung: 500V
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: 2SK2542 Gehäuse: TO218 Datenblatt
Auf Lager:
12 stk.
Anzahl Stück 1+ 2+ 4+ 12+ 36+
Nettopreis (EUR) 1,0829 0,8625 0,7172 0,5836 0,5156
Standard-Verpackung:
36
Widerstand im offenen Kanal: 850mOhm
Max. Drainstrom: 8A
Maximaler Leistungsverlust: 80W
Gehäuse: TO220
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Msx. Drain-Gate Spannung: 500V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT