2SK2963(TE12L,F)

Symbol Micros: T2SK2963
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT89
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 100V; 20V; 950 mOhm; 1A; 1,5 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 950mOhm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOT89
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 100V
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: 2SK2963 RoHS Gehäuse: SOT89 Datenblatt
Auf Lager:
37 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,3624 0,9556 0,8112 0,7414 0,7173
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 950mOhm
Max. Drainstrom: 1A
Maximaler Leistungsverlust: 1,5W
Gehäuse: SOT89
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD