2SK4013

Symbol Micros: T2SK4013
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; 800V; 30V; 1,7 Ohm; 6A; 45W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2SK4013(STA4,Q,M);
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,7Ohm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Msx. Drain-Gate Spannung: 800V
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: 2SK4013 RoHS Gehäuse: TO220iso Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5879 1,2120 1,0041 0,8804 0,8360
Standard-Verpackung:
50
Hersteller: Toshiba Hersteller-Teilenummer: 2SK4013(STA4,Q,M) Gehäuse: TO220iso  
Externes Lager:
450 stk.
Anzahl Stück 150+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,8360
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,7Ohm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO220iso
Hersteller: TOSHIBA
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Msx. Drain-Gate Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT