2STN1360

Symbol Micros: T2STN1360
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
Transistor GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Transistor GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223
Parameter
Verlustleistung: 1,6W
Grenzfrequenz: 130MHz
Stromverstärkungsfaktor: 400
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: SOT223
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: 2STN1360 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3113 0,1656 0,1283 0,1184 0,1134
Standard-Verpackung:
100
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: 2STN1360 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
630 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3113 0,1656 0,1283 0,1184 0,1134
Standard-Verpackung:
800
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: 2STN1360 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
102000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1134
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: 2STN1360 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,1214
Standard-Verpackung:
1000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Verlustleistung: 1,6W
Grenzfrequenz: 130MHz
Stromverstärkungsfaktor: 400
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: SOT223
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN