2STN1360

Symbol Micros: T2STN1360
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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Transistor GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 Transistor GP BJT NPN 60V 3A 1600mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223

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Parameter
Verlustleistung: 1,6W
Stromverstärkungsfaktor: 400
Hersteller: STMicroelectronics
Grenzfrequenz: 130MHz
Gehäuse: SOT223
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: 2STN1360 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
150 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3094 0,1645 0,1275 0,1177 0,1127
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Standard-Verpackung:
100
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: 2STN1360 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
630 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,3094 0,1645 0,1275 0,1177 0,1127
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Standard-Verpackung:
800
Verlustleistung: 1,6W
Stromverstärkungsfaktor: 400
Hersteller: STMicroelectronics
Grenzfrequenz: 130MHz
Gehäuse: SOT223
Max. Kollektor-Strom [A]: 3A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 60V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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