2V7002LT1G

Symbol Micros: T2V7002
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23-5
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Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A Automotive 3-Pin SOT-23
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13,5Ohm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23-5
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2V7002LT1G RoHS Gehäuse: SOT23-5/t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5683 0,3593 0,2841 0,2583 0,2466
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 13,5Ohm
Max. Drainstrom: 115mA
Maximaler Leistungsverlust: 300mW
Gehäuse: SOT23-5
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

Symbol Micros

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