2V7002LT1G
Symbol Micros:
T2V7002
Gehäuse: SOT23-5
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 60V; 20V; 13,5 Ohm; 115mA; 300 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: 2V7002LT3G; 2V7002LT1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 13,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 115mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
| Gehäuse: | SOT23-5 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: 2V7002LT1G RoHS
Gehäuse: SOT23-5/t/r
Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2176 | 0,1105 | 0,0668 | 0,0530 | 0,0483 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: 2V7002LT1G
Gehäuse: SOT23-5
Externes Lager:
1776000 stk.
| Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0483 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: 2V7002LT1G
Gehäuse: SOT23-5
Externes Lager:
297000 stk.
| Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,0483 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 13,5Ohm |
| Max. Drainstrom: | 115mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300mW |
| Gehäuse: | SOT23-5 |
| Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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