5N20A Goford Semiconductor

Symbol Micros: T5N20A
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252
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200V 5A 78W 580mOhm 1.55V 1 N-channel TO-251(IPAK) MOSFETs ROHS FDD7N20TM;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 580mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 78W
Gehäuse: TO252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 580mOhm
Max. Drainstrom: 5A
Maximaler Leistungsverlust: 78W
Gehäuse: TO252
Hersteller: GOFORD
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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