AO3407A

Symbol Micros: TAO3407a c

Gehäuse: SOT23

P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 87mOhm; 4.1A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3407A Alpha&Omega Semiconductor AOS;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	87mOhm
Max. Drainstrom:	4,1A
Maximaler Leistungsverlust:	1,4W
Gehäuse:	SOT23
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Widerstand im offenen Kanal:	87mOhm
Max. Drainstrom:	4,1A
Maximaler Leistungsverlust:	1,4W
Gehäuse:	SOT23
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD