AO3407A UMW

Symbol Micros: TAO3407a UMW

Gehäuse: SOT23

P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 87mOhm; 4.1A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3407A Alpha&Omega Semiconductor AOS;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	87mOhm
Max. Drainstrom:	4,1A
Maximaler Leistungsverlust:	1,4W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	UMW
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: AO3407A RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

3250 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2342	0,1113	0,0625	0,0476	0,0426

Widerstand im offenen Kanal:	87mOhm
Max. Drainstrom:	4,1A
Maximaler Leistungsverlust:	1,4W
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	UMW
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD