AO3409
Symbol Micros:
TAO3409
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 180 mOhm; 2,6A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 180mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,4W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer: AO3409 RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
235 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2170 | 0,1196 | 0,0792 | 0,0660 | 0,0620 |
Widerstand im offenen Kanal: | 180mOhm |
Max. Drainstrom: | 2,6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,4W |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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