AO3409

Symbol Micros: TAO3409
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 180 mOhm; 2,6A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 180mOhm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AO3409 RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
235 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2170 0,1196 0,0792 0,0660 0,0620
Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 180mOhm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD