AO3409A

Symbol Micros: TAO3409a c

Gehäuse: SOT23

P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 200 mOhm; 2,6A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3409 Alpha&Omega Semiconductor AOS;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	200mOhm
Max. Drainstrom:	2,6A
Maximaler Leistungsverlust:	1,4W
Gehäuse:	SOT23
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2025-04-20

Anzahl Stück: 3000

Widerstand im offenen Kanal:	200mOhm
Max. Drainstrom:	2,6A
Maximaler Leistungsverlust:	1,4W
Gehäuse:	SOT23
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD