AO3409A UMW

Symbol Micros: TAO3409a UMW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 200 mOhm; 2,6A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3409 Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: AO3409A RoHS A96X... Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
970 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 970+ 4850+
Nettopreis (EUR) 0,1831 0,0732 0,0426 0,0354 0,0333
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Standard-Verpackung:
970
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: AO3409A RoHS A96X... Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 150+ 750+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1831 0,0727 0,0445 0,0357 0,0333
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Standard-Verpackung:
30
Widerstand im offenen Kanal: 200mOhm
Max. Drainstrom: 2,6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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