AO3414A

Symbol Micros: TAO3414a c

Gehäuse: SOT23

N-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 57mOhm; 4,2A; 1,4 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3414 Alpha&Omega Semiconductor AOS;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	57mOhm
Max. Drainstrom:	4,2A
Maximaler Leistungsverlust:	1,4W
Gehäuse:	SOT23
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V

Artikel in der Lieferung

Geplantes Datum:
2025-04-20

Anzahl Stück: 3000

Widerstand im offenen Kanal:	57mOhm
Max. Drainstrom:	4,2A
Maximaler Leistungsverlust:	1,4W
Gehäuse:	SOT23
Max. Drain-Source Spannung:	20V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	8V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD