AO3415A UMW

Symbol Micros: TAO3415a UMW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 60mOhm; 4A; 0,35 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AO3415A Alpha&Omega Semiconductor AOS;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: AO3415A RoHS XFDX... Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
700 stk.
Anzahl Stück 5+ 30+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,1831 0,0732 0,0426 0,0354 0,0333
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Standard-Verpackung:
1000
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 4A
Maximaler Leistungsverlust: 350mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 20V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 8V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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